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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC196N10NS G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A

内部编号

173-BSC196N10NS-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:9980
1+¥5.8804
10+¥5.0394
100+¥3.8701
500+¥3.4188
1000+¥2.7009
5000+¥2.3932
10000+¥2.2975
25000+¥2.1539
最小起订量:1
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BSC196N10NS G产品详细规格

规格书 BSC196N10NS G datasheet 规格书
BSC196N10NS G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 45A
Rds(最大)@ ID,VGS 19.6 mOhm @ 45A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 42µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2300pF @ 50V
功率 - 最大 78W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSC196N10NS G系列产品

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